IS43LD16640C-18BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD16640C-18BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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171+ | $8.9643 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1Gbit |
Speicherorganisation | 64M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 533 MHz |
Grundproduktnummer | IS43LD16640 |
IS43LD16640C-18BLI Einzelheiten PDF [English] | IS43LD16640C-18BLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 400MHZ
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 400MHZ
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LD16640C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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